IBM和三星芯片新架构：性能提升两倍，功耗下降85% 虎嗅网 • 2年前 扫码分享 我是创始人李岩：很抱歉！给自己产品做个广告，点击进来看看。 12月15日，IBM 透露它和三星的合作在半导体设计上取得了“突破”，提出了一种全新芯片制造工艺 VTFET。 VTFET，即垂直传输场效应晶体管，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET （鳍式场效应晶体管）技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。相比 FinFET，VTFET能让晶体管使用更大的电流，同时减少了能源浪费，可以有两倍性能提升，或者减少85%能耗。 （via IBM） 随意打赏
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