台积电谈 7 纳米和 5 纳米工艺

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台积电谈 7 纳米和 5 纳米工艺

台积电谈 7 纳米和 5 纳米工艺

2019年08月01日 15时02分

在最近举行的 2019 VLSI Symposium 和 SEMICON West 2019 会议上,台积电谈论了它的 7 纳米、 5 纳米甚至 3 纳米工艺。台积电认为,它的 7 纳米节点 N7 是目前能提供的最先进逻辑电路技术,它的绝大部分客户直接从 16 纳米节点 N16 转到了 N7,N10 被认为是短命的技术。相比 N16,N7 提供了 3.3 倍的路由门密度,35-40% 的速度改进或 65% 的低功耗。台积电称,从 N10 上面学到的知识帮助它快速减少了 N7 的缺陷密度,它认为 N7 将占到全年收入的四分之一。台积电已经开始提供优化版的 N7 工艺,它被称为 N7 性能加强版或 N7P, 比 N7 提供了 7% 的性能改进或最高 10% 的低功耗,N7 或 N7P 都采用深紫外光刻,而 N7+ 则是第一代在部分关键层上采用极紫外光刻技术的版本,晶体管密度达到了 1.2 倍,性能提升 10% 或最多 15% 的低功耗。N6 则是 N7 的极紫外版本,在更多层上使用极紫外光刻。之后的节点工艺包括 N5、N5P 和 N3,其中 N3 将在 2022 年左右推出,台积电在工艺技术将领先于英特尔三星一代。

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