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sk 海力士
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消息称 SK 海力士、三星陆续停产 DDR3 内存,带动市场价格上行
砍柴网
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1天前
5 月 13 日消息,据台媒《 经济 日报》报道,SK 海力士、三星电子,将从下半年停止向市场供应 DDR3 内存,带动近期 DDR3 DRAM 价格上涨,最高涨幅达两成。 DDR3 目前已成为利基产品,在机顶盒、Wi-Fi 路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称,三星电子
SK海力士正在测试低温蚀刻设备:可在
砍柴网
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7天前
5月7日消息,据 媒体 报道,SK海力士正在评估东京电子最新的低温蚀刻设备,该设备可以在-70℃的低温下运行,用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。 据了解,SK海力士此次并未直接引进设备,而是选择将测试晶圆发送到东京电子的实验室进行评估,以验证新设备在生产中的实际表现。这一举措
SK海力士在研究低温蚀刻设备,下一代3D闪存可能在
砍柴网
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7天前
随着3D NAND的堆叠层数越来越多,厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率,SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备,该设备可以在-70℃的低温下运行,用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是传统工具的三倍,对多层数的3D NAND非常有用。根据thelec的消息,SK海力士正在把
消息称SK海力士拟新建DRAM工厂,对在海外其他地区建厂持开放态度
砍柴网
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15天前
4 月 29 日消息,据《首尔 经济 日报》今日引述业内人士消息称,除了最近宣布的 M15X 计划之外,SK 海力士还在考虑建设一家新的内存工厂,对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。 ▲ 图源 SK 海力士,下同据报道,该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产,预计今年内存芯
直面三星、SK海力士!消息称华为正开发国产HBM存储器:拒绝卡脖子
砍柴网
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17天前
4月27日消息,为规避限制,消息称华为正在开发国产HBM存储器。消息中指出,华为正加快在中国建立高带宽内存(HBM)的国内生产能力。此举可以解决阻碍该公司在人工智能和高性能计算(HPC)领域取得进步的限制因素。据悉,华为及其供应商正推进HBM2内存技术,这对华为Ascend系列处理器的人工智能应用至关重要。 按
AI需求火爆 SK海力士计划投资超1000亿元扩产
i黑马
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19天前
4月24日消息,SK海力士今天宣布,计划扩大包括 HBM在内的下一代 DRAM 的产能,以应对快速增长的AI需求。公司将投资约5.3万亿韩元(约279.84亿人民币)建设M15X晶圆厂,作为新的DRAM生产基地。该公司计划于4月底开工建设,目标于2025年11月竣工并尽早量产。随着设备投资计划逐步增加,新生产基地建设总
SK海力士发布2024一季度财报:营收和净利润均创新高
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19天前
2024年4月25日 – SK海力士(或‘公司’)今日发布截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告。公司2024财年第一季度结合并收入为12.4296万亿韩元,营业利润为2.886万亿韩元,净利润为1.917万亿韩元。2024财年第一季度营业利润率为23%,净利润率为15%。公司的2024年第一季度收入创
三星和SK海力士正在提升DRAM产量 将恢复至削减前
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1月前
4月7日最新消息,韩国两大内存芯片制造巨头三星电子和SK海力士顺应全球市场需求的明显复苏趋势,纷纷宣布上调第二季度DRAM晶圆生产投入,此举预示着两家公司在经历先前减产后,正稳步回归正常生产轨道。三星电子作为全球领先的半导体制造商,在二季度显著增强了其DRAM产能。根据知名市场分析机构Omdia的数据,该公司已经将其第
SK海力士回应“拟投资40亿美元在美建芯片封装厂”:尚未决定
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1月前
3 月 27 日消息,《华尔街日报》昨日称,SK 海力士计划 投资 约 40 亿美元(IT之家备注:当前约 289.2 亿元人民币)在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂,并计划于 2028 年投产。 对此,SK 海力士在一份声明中表示,公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划,
SK海力士出局!三星独家供货英伟达12层HBM3E内存
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1月前
3月25日消息,据 媒体 报道,英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存,这些内存将由三星电子独家供货。 在GTC 2024上,黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)"的签名。而SK海力士因部分工程
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